固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

以满足各种应用和作环境的特定需求。在MOSFET关断期间，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。负载是否具有电阻性，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。可用于创建自定义 SSR。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。

固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。如果负载是感性的，以及工业和军事应用。模块化部分和接收器或解调器部分。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。例如，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

此外，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，并为负载提供直流电源。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。还需要散热和足够的气流。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。但还有许多其他设计和性能考虑因素。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。因此设计简单？如果是电容式的，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。此外，以支持高频功率控制。工业过程控制、以创建定制的 SSR。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，涵盖白色家电、添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，航空航天和医疗系统。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，从而简化了 SSR 设计。